SS8812T

SS8812T 是一款由 PWM 电流驱动的双极低功耗电机驱动集成芯片。SS8812T 有两路 H 桥驱动，最大输出 40V /1A。输入接口采用 Pala-IN 的驱动方式，电流衰减模式可选择为快衰减、慢衰减和混合衰减，且可以任意设置快衰减与慢衰减的比例，从而更平稳高效的控制电机驱动。此外，采用单一电源供电可以有效的简化系统级设置的难度。 SS8812T 采用 eTSSOP28 封装，可以有效改善散热性能，符合 Rohs 规范，引脚框架 100％无铅。

SS6810R

SS6810R 是一款由 PWM 电流驱动的双极低功耗电机驱动集成芯片。SS6810R 有两路 H 桥驱动，最大输出 40V /1A。输入接口采用 Pala-IN 的驱动方式，电流衰减模式可选择为快衰减、慢衰减和混合衰减，且可以任意设置快衰减与慢衰减的比例，从而更平稳高效的控制电机驱动。此外，采用单一电源供电可以有效的简化系统级设置的难度。 SS6810R 采用 eTSSOP20 173mil 封装，可以有效改善散热性能，符合 Rohs 规范，引脚框架100％无铅。

SS8841T

SS8841 为打印机和其它电机一体化应用提供一种双通道集成电机驱动方案。SS8841 有两路 H桥驱动，每个 H 桥可提供最大峰值电流 2.5A 和均方根电流 1.75A(在 24V 和 Ta = 25°C 适当散热条件下)，可驱动两个刷式直流电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管或者其它感性负载。双极步进电机可以以整步、2 细分、4 细分运行，或者用软件实现高细分。 SS8841 的每一个 H 桥的功率输出模块由 N 型功率 MOSFET 组成。每个 H 桥包含整流电路和限流电路。简单的并行数字控制接口，衰减模式可选择为快衰减，慢衰减和混合衰减。 SS8841 提供了一种低功耗睡眠模式来关断内部电路，以达到非常低的静态电流。这种睡眠模式通过设置 nSLEEP 引脚来实现。内部关断功能包含过流保护，短路保护，欠压锁定保护和过温保护，并提供一个故障输出管脚 nFAULT 引脚。 SS8841 提供一种带有裸露焊盘的 eTSSOP28封装，能有效改善散热性能，且是无铅产品，引脚框架采用 100％无锡电镀。

SS6200

The SS6200 is a single Phase MOSFET gate driver optimized to drive the gates of both high-side and low-side power MOSFETs.

SS6208

The SS6208 integrates a single Phase MOSFET driver, high side MOSFET and low side MOSFET into a 3mm*3mm 8-pins DFN package. The SS6208 integrated solution greatly reduces the package parasitic effect and board space compared to a discrete component solution.

SS8844T

SS8844T 提供四个可独立控制的 1/2 H 桥启动器。 它可被用于驱动两个 DC 电机、一个步进电机、四个螺线管或者其它负载。 针对每个通道的输出驱动器通道由在一个 1/2 H 桥配置中进行配置的 N 通道功率 MOSFET 组成。

SS6951A

SS6951A步进电机驱动，实现闭环电路控制设计。

SS8847T

SS8870T

SS8870是一款刷式直流电机驱动器，适用于打印 机，电器，工业设备及其他机电一体化电机，两 路输入逻辑控制H桥驱动器，该驱动器由四个N 沟道金属氧化物半导体场效应管，输出3.6A的电 流峰值双向控制电机，利用电流衰减模式，可通 过对输入进行脉宽调制来控制电机转速。 如果将逻辑输入设置为低电平，则电机驱动器进 入低功耗休眠模式。

SS6216

SS6216是为低电压下工作的系统而设计的直流电机驱动集成电路，单通道低导通电阻。具备电机正转/反转/停止/刹车四个功能；