SS6200 是一款经过优化的单相 MOSFET 栅极驱动器，可驱动高侧和低侧功率MOSFET的栅极。

集成的自举二极管减少了外部元件数量。具有较宽的工作电压范围，可以优化高侧或低侧 MOSFET 栅极驱动电压以获得最佳效率。内部自适应无重叠电路通过防止两个 MOSFET 同时导通进一步降低开关损耗。 

当 VCC 低于指定阈值电压时，UVLO 电路可防止故障发生。

· 驱动2个 N-MOSFETs

· 高频工作(高达1MHz)

· 可以 3.3V 和 5V 的PWM输入

· 输出上升时间快

· 内部自举二极管

· 自适应穿透保护

· 欠压锁定

· 内部热关断

· 小尺寸封装：SOP8, DFN2x2-8L

· 这些都是 Pb-Free Devices